Samsung ha anunciado hoy la primera producción de la industria de chips NAND de 20 nanómetros (nm) para su uso en tarjetas Secure Digital (SD), tarjetas de memoria y soluciones integradas de memoria. La clase MLC NAND  de 20nm de Samsung tiene un nivel de productividad del 50 por ciento más alto que la clase MLC NAND de 30nm.

El desempeño de escritura de una tarjeta SD basada en la clase 20nm de ocho gigabytes (GB) y una mayor densidad,  es de 30 por ciento más rápido que el de clase NAND 30nm y ofrece un rango de velocidad de clase de 10 (velocidad de lectura de 20MB/s, velocidad de escritura de 10MB/s).

Samsung también ha asegurado niveles de fiabilidad comparable a la NAND de 30nm, estos se darían mediante la aplicación de procesos de vanguardia, diseño y tecnología de controlador. La introducción oportuna de Samsung de su prima de alto rendimiento NAND, responde a las necesidades de memoria cada vez mayor de teléfonos inteligentes de alta densidad, de la gama alta de aplicaciones de TI y tarjetas de memoria de alto rendimiento.

Las tarjetas de memoria basadas en la clase 20nm estarán disponibles a partir de densidades de 4GB hasta 64GB.

Fuente | Fareastgizmos